Vishay Type N-Channel MOSFET, 214 A, 40 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ENW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 239-8683
- Référence fabricant:
- SQS140ENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- 239-8683
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- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 214A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.000253Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 197W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Length | 3.3mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 214A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SLW | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.000253Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 197W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Length 3.3mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 40 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
Low resistance
AEC-Q101 qualified
UIS tested
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