Vishay Type N-Channel MOSFET, 214 A, 40 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ENW-T1_GE3
- N° de stock RS:
- 239-8683
- Référence fabricant:
- SQS140ENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 10 unités)*
11,05 €
(TVA exclue)
13,37 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 3 000 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 10 - 90 | 1,105 € | 11,05 € |
| 100 - 240 | 1,039 € | 10,39 € |
| 250 - 490 | 0,941 € | 9,41 € |
| 500 - 990 | 0,884 € | 8,84 € |
| 1000 + | 0,829 € | 8,29 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 239-8683
- Référence fabricant:
- SQS140ENW-T1_GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 214A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | PowerPAK 1212-8SLW | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.000253Ω | |
| Channel Mode | Depletion | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 197W | |
| Forward Voltage Vf | 1.1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 38nC | |
| Maximum Operating Temperature | 125°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 3.3mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 214A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type PowerPAK 1212-8SLW | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.000253Ω | ||
Channel Mode Depletion | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 197W | ||
Forward Voltage Vf 1.1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 38nC | ||
Maximum Operating Temperature 125°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 3.3mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Vishay TrenchFET® is Gen IV power N-Channel MOSFET which operates at 40 V and 175 °C temperature. This MOSFET used for high power density.
Low resistance
AEC-Q101 qualified
UIS tested
Liens connexes
- Vishay Type N-Channel MOSFET 40 V Depletion, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay SQS Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS140ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS141ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS142ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW SQS160ELNW-T1_GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
- Vishay Type N-Channel MOSFET -40 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8SLW
