Vishay SISS Type N-Channel MOSFET, 26.2 A, 150 V Enhancement, 8-Pin PowerPAK 1212-8S SISS5710DN-T1-GE3

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268-8349
Référence fabricant:
SISS5710DN-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

26.2A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK 1212-8S

Series

SISS

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0315Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Maximum Power Dissipation Pd

54.3W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

12nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

3.3mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is lead Pb and halogen free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, power supplies.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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