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Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR584DP-T1-RE3

N° de stock RS:: 239-5390
Référence fabricant:: SiR584DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR584DP-T1-RE3

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50 - 245	1,146 €	5,73 €
250 - 495	1,038 €	5,19 €
500 - 1245	0,978 €	4,89 €
1250 +	0,914 €	4,57 €

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N° de stock RS:: 239-5390
Référence fabricant:: SiR584DP-T1-RE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

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Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerPAK SO-8
	Series	SiR
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0039Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd	83.3W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	56nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	6.15mm
	Width	5.15 mm
	Standards/Approvals	RoHS

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	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerPAK SO-8
	Series SiR
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0039Ω
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Maximum Power Dissipation Pd 83.3W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 56nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 6.15mm
	Width 5.15 mm
	Standards/Approvals RoHS

Datasheet - SiR584DP-T1-RE3

The Vishay TrenchFET N channel power MOSFET has drain current of 100 A. It is used in synchronous rectification, primary side switch, DC/DC converter and motor drive switch.

Very low RDS x Qg figure-of-merit (FOM)

Tuned for the lowest RDS x Qoss FOM

100 % Rg and UIS tested

Vishay SiR Type N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V, 8-Pin PowerPAK SO-8 SiR584DP-T1-RE3

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