Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8325
- Référence fabricant:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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- 268-8325
- Référence fabricant:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 174A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Series | SIJH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0041Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 7.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 174A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Series SIJH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0041Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 7.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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