Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8325
- Référence fabricant:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
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Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 174A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | SIJH | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0041Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Length | 7.9mm | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 174A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series SIJH | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0041Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Length 7.9mm | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
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