Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- N° de stock RS:
- 268-8325
- Référence fabricant:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
6,25 €
(TVA exclue)
7,56 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 870 unité(s) expédiée(s) à partir du 23 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 49 | 6,25 € |
| 50 - 99 | 5,62 € |
| 100 - 249 | 4,61 € |
| 250 - 999 | 4,51 € |
| 1000 + | 3,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 268-8325
- Référence fabricant:
- SIJH5700E-T1-GE3
- Fabricant:
- Vishay
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Vishay | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 174A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | PowerPAK (8x8L) | |
| Series | SIJH | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 4 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.0041Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 333W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Length | 7.9mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Vishay | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 174A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type PowerPAK (8x8L) | ||
Series SIJH | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 4 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0041Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Power Dissipation Pd 333W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Length 7.9mm | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.
Very low figure of merit
ROHS compliant
UIS tested 100 percent
Liens connexes
- Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3
- Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET 100 V Enhancement, 4-Pin 8x8L SIJH5100E-T1-GE3
- Vishay TrenchFET N channel-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH602E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH600E-T1-GE3
- Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH800E-T1-GE3
- Vishay SIHR Type N-Channel MOSFET 600 V Enhancement, 8-Pin 8x8LR SIHR080N60E-T1-GE3
- Vishay Type N-Channel MOSFET 60 V Depletion, 4-Pin PowerPAK (8x8L)
- Vishay E Type N-Channel MOSFET 650 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK SiHH080N60E-T1-GE3