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Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 299 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH800E-T1-GE3

N° de stock RS:: 225-9921
Référence fabricant:: SIJH800E-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay N-Channel 80 V Type N-Channel MOSFET, 299 A, 80 V, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH800E-T1-GE3

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 225-9921
Référence fabricant:: SIJH800E-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	299A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	PowerPAK (8x8L)
	Series	N-Channel 80 V
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	1.8mΩ
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	3.3W
	Forward Voltage Vf	1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	210nC
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	No
	Height	8mm
	Length	8.1mm
	Automotive Standard	No

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	Marque Vishay
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 299A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type PowerPAK (8x8L)
	Series N-Channel 80 V
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 1.8mΩ
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 3.3W
	Forward Voltage Vf 1.2V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 210nC
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals No
	Height 8mm
	Length 8.1mm
	Automotive Standard No

Datasheet - SIJH800E-T1-GE3

The Vishay Siliconix maintains Reliability data for Semiconductor Technology and Package Reliability represent a composite of all qualified locations.

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Fully lead (Pb)-free device

Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio reduces switching related power loss

50 % smaller footprint than D2PAK (TO-263)

100 % Rg and UIS tested

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