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Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3

N° de stock RS:: 268-8324
Référence fabricant:: SIJH5700E-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

8 122,00 €

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2000 +	4,061 €	8 122,00 €

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N° de stock RS:: 268-8324
Référence fabricant:: SIJH5700E-T1-GE3
Fabricant:: Vishay

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Vishay
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id	174A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	150V
	Package Type	PowerPAK (8x8L)
	Series	SIJH
	Mount Type	Surface
	Pin Count	4
	Maximum Drain Source Resistance Rds	0.0041Ω
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	14nC
	Maximum Power Dissipation Pd	333W
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Length	7.9mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Vishay
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type N
	Maximum Continuous Drain Current Id 174A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 150V
	Package Type PowerPAK (8x8L)
	Series SIJH
	Mount Type Surface
	Pin Count 4
	Maximum Drain Source Resistance Rds 0.0041Ω
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 14nC
	Maximum Power Dissipation Pd 333W
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Length 7.9mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - SIJH5700E-T1-GE3

Pays d'origine :: CN

The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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