Vishay SIJH N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3

Actuellement indisponible
Désolés, nous ne savons pas quand ce produit sera réapprovisionné.
N° de stock RS:
268-8324
Référence fabricant:
SIJH5700E-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Channel Type

N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Series

SIJH

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0041Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

7.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.