Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

5 542,00 €

(TVA exclue)

6 706,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 novembre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +2,771 €5 542,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
268-8324
Référence fabricant:
SIJH5700E-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Vishay

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

SIJH

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0041Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Length

7.9mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

Liens connexes