Vishay SIJH Type N-Channel MOSFET, 174 A, 150 V Enhancement, 4-Pin PowerPAK (8x8L) SIJH5700E-T1-GE3

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268-8324
Référence fabricant:
SIJH5700E-T1-GE3
Fabricant:
Vishay
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Marque

Vishay

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

174A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Package Type

PowerPAK (8x8L)

Series

SIJH

Mount Type

Surface

Pin Count

4

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.0041Ω

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

14nC

Maximum Power Dissipation Pd

333W

Maximum Operating Temperature

150°C

Length

7.9mm

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The Vishay N channel TrenchFET generation 5 power MOSFET is fully lead Pb free device. It is used in applications such as synchronous rectification, motor drive control, battery management.

Very low figure of merit

ROHS compliant

UIS tested 100 percent

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