ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6055VNXC7G
- N° de stock RS:
- 265-5420
- Référence fabricant:
- R6055VNXC7G
- Fabricant:
- ROHM
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- Fabricant:
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Spécifications
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 23A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 600V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | R6055VNX | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.071Ω | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 100W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 80nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Pb-Free Plating, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 23A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 600V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series R6055VNX | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.071Ω | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 100W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 80nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Pb-Free Plating, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
- Pays d'origine :
- CN
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.
Fast reverse recovery time (trr)
Low on resistance
Fast switching speed
Drive circuits can be simple
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