ROHM R6055VNX Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6055VNXC7G

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265-5420
Référence fabricant:
R6055VNXC7G
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Series

R6055VNX

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.071Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Power Dissipation Pd

100W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Pb-Free Plating, RoHS

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

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