ROHM R6013VNX Type N-Channel MOSFET, 8 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-220 R6013VNXC7G

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265-5418
Référence fabricant:
R6013VNXC7G
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

8A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-220

Series

R6013VNX

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.3Ω

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

54W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

21nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

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