ROHM R6055VNZ Type N-Channel MOSFET, 23 A, 600 V Enhancement, 3-Pin TO-3PF R6055VNZC17

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265-5423
Référence fabricant:
R6055VNZC17
Fabricant:
ROHM
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Marque

ROHM

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

23A

Maximum Drain Source Voltage Vds

600V

Package Type

TO-3PF

Series

R6055VNZ

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

0.071Ω

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

80nC

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

99W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

Pb-Free Plating, RoHS

Automotive Standard

No

The ROHM power MOSFET with a low on resistance and high power package which is suitable for switching circuits, single cell battery applications and mobile applications.

Fast reverse recovery time (trr)

Low on resistance

Fast switching speed

Drive circuits can be simple

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