ROHM R6520KNX3 Type N-Channel MOSFET, 10.7 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- N° de stock RS:
- 249-1121
- Référence fabricant:
- R6520KNX3C16
- Fabricant:
- ROHM
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 249-1121
- Référence fabricant:
- R6520KNX3C16
- Fabricant:
- ROHM
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | ROHM | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 10.7A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 650V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | R6520KNX3 | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.7mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 104W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 40nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque ROHM | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 10.7A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 650V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series R6520KNX3 | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.7mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 104W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 40nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The ROHM high-speed switching N channel 650 V, 20 A drain current power MOSFET are high-speed switching products, super junction MOSFETs, that place an emphasis on high efficiency, this series products achieve higher efficiency via high-speed switching, h
Low on-resistance
Ultra fast switching
Parallel use is easy
Pb-free plating
RoHs compliant
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