Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -3.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC IRF7606TRPBF

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 25 unités)*

10,60 €

(TVA exclue)

12,825 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 25 mars 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 1000,424 €10,60 €
125 - 2250,403 €10,08 €
250 - 6000,386 €9,65 €
625 - 12250,254 €6,35 €
1250 +0,19 €4,75 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
262-6742
Référence fabricant:
IRF7606TRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type P

Maximum Continuous Drain Current Id

-3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Package Type

SOIC

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

Liens connexes