Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -3.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

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N° de stock RS:
262-6741
Référence fabricant:
IRF7606TRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type P

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

-3.6A

Maximum Drain Source Voltage Vds

-30V

Series

HEXFET

Package Type

SOIC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

150mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

-1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

20nC

Maximum Power Dissipation Pd

1.8W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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