Références fabricant

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -3.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

N° de stock RS:: 262-6741
Référence fabricant:: IRF7606TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel MOSFET, -3.6 A, -30 V Enhancement, 8-Pin SOIC

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 262-6741
Référence fabricant:: IRF7606TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Package Type	SOIC
	Series	HEXFET
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	150mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	1.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	20nC
	Forward Voltage Vf	-1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -3.6A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Package Type SOIC
	Series HEXFET
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 150mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 1.8W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 20nC
	Forward Voltage Vf -1.2V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IRF7606TRPBF

The Infineon power MOSFET has low gate to drain charge to reduce switching losses. It is suitable for use with high frequency DC-DC converters.

Fully characterized avalanche voltage and current

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