Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3808PBF
- N° de stock RS:
- 262-6729
- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-666
- Référence fabricant:
- IRF3808PBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
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- Numéro d'article Distrelec:
- 304-41-666
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- IRF3808PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 140A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 75V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-220 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Pin Count | 3 | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 140A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 75V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-220 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Pin Count 3 | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
Repetitive avalanche allowed up to Tjmax
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