Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 140 A, 75 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IRF3808PBF

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262-6729
Référence fabricant:
IRF3808PBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

140A

Maximum Drain Source Voltage Vds

75V

Package Type

TO-220

Series

HEXFET

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

Distrelec Product Id

304-41-666

The Infineon power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This design has additional features such as 175°C operating temperature, low RθJC, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.

Repetitive avalanche allowed up to Tjmax

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