STMicroelectronics N-Channel MOSFET, 20 A, 3-Pin TO-252 STD65N160M9

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261-5483
Référence fabricant:
STD65N160M9
Fabricant:
STMicroelectronics
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Marque

STMicroelectronics

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Package Type

TO-252

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

160mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

32nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

No

Length

10.1mm

Width

6.6mm

Automotive Standard

No

Pays d'origine :
CN
The STMicroelectronics N-channel Power MOSFET is based on the most innovative super junction MDmesh M9 technology, suitable for medium/high voltage MOSFETs featuring very low RDS(on) per area. The silicon based M9 technology benefits from a multi-drain manufacturing process which allows an enhanced device structure.

Higher VDSS rating

Excellent switching performance

Easy to drive

100% avalanche tested

Zener protected

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