Références fabricant

STMicroelectronics M6 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin TO-252

N° de stock RS:: 203-3430
Référence fabricant:: STD16N60M6
Fabricant:: STMicroelectronics

STMicroelectronics M6 N-Channel MOSFET, 12 A, 600 V, 3-Pin TO-252

Actuellement indisponible

Nous ne savons pas si cet article sera de nouveau disponible. RS a l'intention de le retirer de son assortiment sous peu.

N° de stock RS:: 203-3430
Référence fabricant:: STD16N60M6
Fabricant:: STMicroelectronics

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	STMicroelectronics
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	600V
	Package Type	TO-252
	Series	M6
	Mount Type	Surface
	Pin Count	3
	Maximum Drain Source Resistance Rds	320mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd	110W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Length	6.6mm
	Width	2.4mm
	Height	10.1mm
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque STMicroelectronics
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 12A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 600V
	Package Type TO-252
	Series M6
	Mount Type Surface
	Pin Count 3
	Maximum Drain Source Resistance Rds 320mΩ
	Maximum Power Dissipation Pd 110W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Length 6.6mm
	Width 2.4mm
	Height 10.1mm
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - STD16N60M6

Pays d'origine :: CN

The STMicroelectronics N-channel MDmesh M6 Power MOSFET incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. Previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, is built by STMicroelectronics. This combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Low gate input resistance

100% avalanche tested

Zener-protected

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.