Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP011N04NF2SAKMA1

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260-1054
Référence fabricant:
IPP011N04NF2SAKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

201A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPP

Package Type

TO-220

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

210nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.84V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET provides an addressing a broad range of applications from low to high switching frequency having a broad availability from distribution partners to excellent price and performance ratio.

Ideal for high and low switching frequency

Industry standard footprint through hole package

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