Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 201 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 tube de 1000 unités)*

1 189,00 €

(TVA exclue)

1 439,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 22 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le tube*
1000 +1,189 €1 189,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
260-1053
Référence fabricant:
IPP011N04NF2SAKMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

201A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Series

IPP

Package Type

TO-220

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.15mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

210nC

Maximum Power Dissipation Pd

375W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.84V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET provides an addressing a broad range of applications from low to high switching frequency having a broad availability from distribution partners to excellent price and performance ratio.

Ideal for high and low switching frequency

Industry standard footprint through hole package

Liens connexes