Infineon IPP N-Channel MOSFET, 193 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP015N04NF2SAKMA1

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260-1058
Référence fabricant:
IPP015N04NF2SAKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

N

Maximum Continuous Drain Current Id

193A

Maximum Drain Source Voltage Vds

40V

Package Type

TO-220

Series

IPP

Mount Type

Surface Mount

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.5mΩ

Channel Mode

Enhancement

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20V

Maximum Power Dissipation Pd

188W

Minimum Operating Temperature

-55°C

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

106nC

Forward Voltage Vf

860mV

Maximum Operating Temperature

175°C

Width

10.67mm

Standards/Approvals

IEC 61249-2-21, RoHS

Length

15.8mm

Height

4.75mm

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET provides an addressing a broad range of applications from low to high switching frequency having a broad availability from distribution partners to excellent price and performance ratio.

Ideal for high and low switching frequency

Industry standard footprint through hole package

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