Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 193 A, 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP015N04NF2SAKMA1
- N° de stock RS:
- 260-1058
- Référence fabricant:
- IPP015N04NF2SAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
4,37 €
(TVA exclue)
5,288 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 950 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,185 € | 4,37 € |
| 20 - 48 | 1,96 € | 3,92 € |
| 50 - 98 | 1,83 € | 3,66 € |
| 100 - 198 | 1,705 € | 3,41 € |
| 200 + | 1,595 € | 3,19 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 260-1058
- Référence fabricant:
- IPP015N04NF2SAKMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 193A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | IPP | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 1.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 106nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 188W | |
| Forward Voltage Vf | 0.86V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.8mm | |
| Height | 4.75mm | |
| Standards/Approvals | IEC 61249-2-21, RoHS | |
| Width | 10.67 mm | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 193A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series IPP | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 1.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 106nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 188W | ||
Forward Voltage Vf 0.86V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.8mm | ||
Height 4.75mm | ||
Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS | ||
Width 10.67 mm | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET provides an addressing a broad range of applications from low to high switching frequency having a broad availability from distribution partners to excellent price and performance ratio.
Ideal for high and low switching frequency
Industry standard footprint through hole package
Liens connexes
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP033N04NF2SAKMA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP011N04NF2SAKMA1
- Infineon IPP Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP013N04NF2SAKMA1
