Infineon IPP Type N-Channel MOSFET, 80 A, 55 V Enhancement, 3-Pin TO-220 IPP80N06S207AKSA4

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217-2568
Référence fabricant:
IPP80N06S207AKSA4
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

80A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

IPP

Package Type

TO-220

Mount Type

Through Hole

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

6.6mΩ

Channel Mode

Enhancement

Forward Voltage Vf

1.3V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

86nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Power Dissipation Pd

250W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon 55V, N-Ch, 6.6 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™.

N-channel - Enhancement mode

Automotive AEC Q101 qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

175°C operating temperature

Green package (lead free)

Ultra low Rds(on)

100% Avalanche tested

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