Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 120 V N TO-263 IPB038N12N3GATMA1
- N° de stock RS:
- 259-1546
- Référence fabricant:
- IPB038N12N3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 259-1546
- Référence fabricant:
- IPB038N12N3GATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 120V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | N | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 120V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode N | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon 120V optimos family offers at the same time the lowest on-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V optimos technology gives new possibilities for optimized solutions.
Excellent switching performance
World’s lowest R DS(on)
Very low Q g and Q gd
Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)
RoHS compliant halogen free
MSL1 rated 2
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