Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A, 100 V N, 3-Pin TO-263

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N° de stock RS:
258-3785
Référence fabricant:
IPB020N10N5LFATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

100V

Package Type

TO-263

Series

iPB

Mount Type

Surface

Pin Count

3

Maximum Drain Source Resistance Rds

2mΩ

Channel Mode

N

Forward Voltage Vf

0.89V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

313W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

195nC

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS, IEC 61249-2-21

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS Linear FET is a revolutionary approach to avoid the trade-off between on-state resistance and linear mode capability operation in the saturation region of an enhanced mode MOSFET. It offers the state-of-the-art R DS(on) of a trench MOSFET together with the wide safe operating area of a classic planar MOSFET.

High max. pulse current

High continuous pulse current

Rugged linear mode operation

Low conduction losses

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