Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2
- N° de stock RS:
- 260-5118
- Référence fabricant:
- IPB120N06S403ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 260-5118
- Référence fabricant:
- IPB120N06S403ATMA2
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 120A | |
| Series | iPB | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 120A | ||
Series iPB | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
N channel enhancement mode
MSL1 up to 260°C peak reflow
100% Avalanche tested
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