Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 120 A Enhancement TO-263 IPB120N06S403ATMA2

Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

5,63 €

(TVA exclue)

6,812 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 984 unité(s) expédiée(s) à partir du 06 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 182,815 €5,63 €
20 - 482,37 €4,74 €
50 - 982,20 €4,40 €
100 - 1982,06 €4,12 €
200 +1,915 €3,83 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
260-5118
Référence fabricant:
IPB120N06S403ATMA2
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Series

iPB

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Channel Mode

Enhancement

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon N channel optiMOS power MOSFETs provide excellent gate charge. It has highest current capability. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.

N channel enhancement mode

MSL1 up to 260°C peak reflow

100% Avalanche tested

Liens connexes