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Infineon HEXFET Type P-Channel IR MOSFET, -4 A, -30 V Dual, 8-Pin SO-8 IRF7306TRPBF

N° de stock RS:: 258-8196
Référence fabricant:: IRF7306TRPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type P-Channel IR MOSFET, -4 A, -30 V Dual, 8-Pin SO-8 IRF7306TRPBF

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Unité	Prix par unité	le paquet*
10 - 40	0,835 €	8,35 €
50 - 90	0,819 €	8,19 €
100 - 490	0,65 €	6,50 €
500 - 1990	0,539 €	5,39 €
2000 +	0,412 €	4,12 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 258-8196
Référence fabricant:: IRF7306TRPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Législations et de normes

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type P
	Product Type	IR MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	-4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Series	HEXFET
	Package Type	SO-8
	Mount Type	Through Hole
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	160mΩ
	Channel Mode	Dual
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	16.7nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Height	1.75mm
	Width	4 mm
	Length	5mm
	Standards/Approvals	RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type P
	Product Type IR MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id -4A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Series HEXFET
	Package Type SO-8
	Mount Type Through Hole
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 160mΩ
	Channel Mode Dual
	Maximum Gate Source Voltage Vgs ±20 V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 16.7nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Height 1.75mm
	Width 4 mm
	Length 5mm
	Standards/Approvals RoHS
	Automotive Standard No

Infineon HEXFET Type P-Channel IR MOSFET, -4 A, -30 V Dual, 8-Pin SO-8 IRF7306TRPBF

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