Infineon HEXFET MOSFET, 5 A, 55 V SOT-223

Offre groupée disponible

Sous-total (1 bobine de 2500 unités)*

507,50 €

(TVA exclue)

615,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 26 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2500 - 25000,203 €507,50 €
5000 +0,192 €480,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3996
Référence fabricant:
IRLL024ZTRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

5A

Maximum Drain Source Voltage Vds

55V

Series

HEXFET

Package Type

SOT-223

Mount Type

Surface

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon HEXFET power MOSFET is Specifically designed for Automotive applications, this HEXFET Power MOSFET utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating . These features combine to make this design an extremely efficient and reliable device for use in Automotive applications and a wide variety of other applications.

Advanced Process Technology

Ultra Low On-Resistance

Logic Level Gate Drive

150°C Operating Temperature

Fast Switching

Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax

Liens connexes