Infineon HEXFET Fifth Generation Type N-Channel MOSFET, 1.9 A, 55 V SOT-223 IRFL014NTRPBF
- N° de stock RS:
- 257-5817
- Référence fabricant:
- IRFL014NTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-5817
- Référence fabricant:
- IRFL014NTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 1.9A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 55V | |
| Series | HEXFET Fifth Generation | |
| Package Type | SOT-223 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 0.16Ω | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 2.1W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 7nC | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | Lead-Free | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 1.9A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 55V | ||
Series HEXFET Fifth Generation | ||
Package Type SOT-223 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 0.16Ω | ||
Maximum Power Dissipation Pd 2.1W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 7nC | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals Lead-Free | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon MOSFET is fifth generation HEXFETs from international rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below <100kHz
Industry standard surface mount package
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