Infineon HEXFET MOSFET, 150 A, 30 V TO-220
- N° de stock RS:
- 258-3993
- Référence fabricant:
- IRLB4132PBF
- Fabricant:
- Infineon
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| 200 - 400 | 0,40 € | 40,00 € |
| 500 - 900 | 0,384 € | 38,40 € |
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*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3993
- Référence fabricant:
- IRLB4132PBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 150A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Package Type | TO-220 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.5mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 36nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 140W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | Lead-Free, RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 150A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Package Type TO-220 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.5mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 36nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 140W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals Lead-Free, RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon HEXFET power MOSFET optimized for broadest availability from distribution partners. Its product qualification according to JEDEC standard.
Optimized for 5V gate-drive voltage
Industry standard through-hole power package
High-current carrying capability package
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