Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 30 V WDSON IRF6727MTRPBF
- N° de stock RS:
- 258-3968
- Référence fabricant:
- IRF6727MTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-3968
- Référence fabricant:
- IRF6727MTRPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
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Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 180A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 30V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | WDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 49nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 89W | |
| Forward Voltage Vf | 0.77V | |
| Minimum Operating Temperature | -40°C | |
| Maximum Operating Temperature | 150°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 180A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 30V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type WDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 49nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 89W | ||
Forward Voltage Vf 0.77V | ||
Minimum Operating Temperature -40°C | ||
Maximum Operating Temperature 150°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.
High-current rating
Dual-side cooling capability
Low package height of 0.7mm
Compact form factor
High efficiency
Environmentally friendly
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