Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 30 V WDSON

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 bobine de 4800 unités)*

3 940,80 €

(TVA exclue)

4 766,40 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 27 avril 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
4800 +0,821 €3 940,80 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3966
Référence fabricant:
IRF6727MTRPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

180A

Maximum Drain Source Voltage Vds

30V

Package Type

WDSON

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.4mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

89W

Forward Voltage Vf

0.77V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

49nC

Minimum Operating Temperature

-40°C

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

High-current rating

Dual-side cooling capability

Low package height of 0.7mm

Compact form factor

High efficiency

Environmentally friendly

Liens connexes