Références fabricant

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V TO-263 IRLS4030TRLPBF

N° de stock RS:: 257-5840
Référence fabricant:: IRLS4030TRLPBF
Fabricant:: Infineon

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V TO-263 IRLS4030TRLPBF

Actuellement indisponible

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N° de stock RS:: 257-5840
Référence fabricant:: IRLS4030TRLPBF
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Package Type	TO-263
	Series	HEXFET
	Mount Type	PCB
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.3mΩ
	Forward Voltage Vf	1.3V
	Standards/Approvals	No
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 180A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Package Type TO-263
	Series HEXFET
	Mount Type PCB
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.3mΩ
	Forward Voltage Vf 1.3V
	Standards/Approvals No
	Automotive Standard No

Datasheet - IRLS4030TRLPBF

The Infineon HEXFET power MOSFET is optimized for logic level drive, very low RDS at 4.5V VGS, its used DC motor drive, high efficiency synchronous rectification in SMPS, uninterruptible power supply, high speed power switching, hard switched and high frequency circuits.

Superior R*Q at 45V VGS

Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability

Lead-free

Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 180 A, 100 V TO-263 IRLS4030TRLPBF

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