Infineon HEXFET MOSFET, 220 A, 25 V WDSON IRF6717MTRPBF

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258-3965
Référence fabricant:
IRF6717MTRPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

220A

Maximum Drain Source Voltage Vds

25V

Series

HEXFET

Package Type

WDSON

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.1mΩ

Minimum Operating Temperature

-40°C

Forward Voltage Vf

1V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

46nC

Maximum Power Dissipation Pd

96W

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Operating Temperature

150°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon StrongIRFET power MOSFET family is optimized for low RDS(on) and high current capability. The devices are ideal for low frequency applications requiring performance and ruggedness. The comprehensive portfolio addresses a broad range of applications including DC motors, battery management systems, inverters, and DC-DC converters.

High-current rating

Dual-side cooling capability

Compact form factor

High efficiency

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