Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 186 A, 150 V Enhancement TO-247 IRF150P221AKMA1

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258-3956
Référence fabricant:
IRF150P221AKMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

186A

Maximum Drain Source Voltage Vds

150V

Series

HEXFET

Package Type

TO-247

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

4.50mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.2V

Maximum Operating Temperature

+175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon MOSFET StrongIRFET optimized for broadest availability from distribution partners. Its increased reliability versus 150°C rated parts and product validation according to JEDEC standard.

Very low RDS(on)

Reduced conduction losses

Ideal for high switching frequency

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