Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AUIRFP4568
- N° de stock RS:
- 222-4612
- Référence fabricant:
- AUIRFP4568
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
10,63 €
(TVA exclue)
12,86 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- Plus 1 075 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 10,63 € |
| 5 - 9 | 10,09 € |
| 10 - 24 | 9,66 € |
| 25 - 49 | 9,25 € |
| 50 + | 8,61 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4612
- Référence fabricant:
- AUIRFP4568
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 171A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Package Type | TO-247 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 151nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 517W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Length | 15.87mm | |
| Width | 20.7 mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Height | 5.31mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 171A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Package Type TO-247 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 517W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Length 15.87mm | ||
Width 20.7 mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Height 5.31mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Advanced Planar Technology
Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-247 AUIRFP4568-E
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC IRFP4568PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4321PBF
- Infineon HEXFET MOSFET 150 V TO-247