Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 171 A, 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247 AUIRFP4568
- N° de stock RS:
- 222-4612
- Référence fabricant:
- AUIRFP4568
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 unité)*
10,49 €
(TVA exclue)
12,69 €
(TVA incluse)
Ajouter 8 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- 1 075 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité |
|---|---|
| 1 - 4 | 10,49 € |
| 5 - 9 | 9,96 € |
| 10 - 24 | 9,53 € |
| 25 - 49 | 9,12 € |
| 50 + | 8,50 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 222-4612
- Référence fabricant:
- AUIRFP4568
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 171A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 150V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-247 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.9mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 151nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30 V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 517W | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Width | 20.7 mm | |
| Height | 5.31mm | |
| Standards/Approvals | No | |
| Length | 15.87mm | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 171A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 150V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-247 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 151nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30 V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 517W | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Width 20.7 mm | ||
Height 5.31mm | ||
Standards/Approvals No | ||
Length 15.87mm | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on-resistance per silicon area. This benefit combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in Automotive and a wide variety of other applications.
Advanced Planar Technology
Dual N Channel MOSFET Low On-Resistance
Logic Level Gate Drive
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-247 AUIRFP4568-E
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC
- Infineon HEXFET Type N-Channel Power MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247AC IRFP4568PBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 150 V Enhancement, 3-Pin TO-247 IRFP4321PBF
- Infineon HEXFET MOSFET 150 V TO-247