Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 247 A, 80 V HSOF IPT019N08N5ATMA1

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258-3903
Référence fabricant:
IPT019N08N5ATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

247A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

HSOF

Series

IPT

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9mΩ

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 80V n-channel power MOSFET in TO-Leadless package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as forklift, light electric vehicles, POL and telecom. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TO-leadless is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

Optimized for synchronous rectification

Ideal for high switching frequency

Less paralleling required

Increased power density

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