Infineon IPT Type N-Channel MOSFET, 247 A, 80 V HSOF

Sous-total (1 bobine de 2000 unités)*

3 130,00 €

(TVA exclue)

3 788,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 28 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
2000 +1,565 €3 130,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-3902
Référence fabricant:
IPT019N08N5ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

247A

Maximum Drain Source Voltage Vds

80V

Package Type

HSOF

Series

IPT

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

2.9mΩ

Forward Voltage Vf

1.2V

Standards/Approvals

No

Automotive Standard

No

The Infineon OptiMOS 5 80V n-channel power MOSFET in TO-Leadless package is ideally suited for high switching frequencies. This package is especially designed for high current applications such as forklift, light electric vehicles, POL and telecom. With a 60% space reduction compared to D2PAK 7pin package, TO-leadless is the perfect solution where highest efficiency, outstanding EMI behaviour as well as best thermal behaviour and space reduction are required.

Optimized for synchronous rectification

Ideal for high switching frequency

Less paralleling required

Increased power density

Liens connexes