Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 100 V Dual N, 8-Pin TDSON
- N° de stock RS:
- 258-3883
- Référence fabricant:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
3,60 €
(TVA exclue)
4,36 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
Temporairement en rupture de stock
- 4 948 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 1,80 € | 3,60 € |
| 20 - 48 | 1,62 € | 3,24 € |
| 50 - 98 | 1,51 € | 3,02 € |
| 100 - 198 | 1,405 € | 2,81 € |
| 200 + | 1,31 € | 2,62 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-3883
- Référence fabricant:
- IPG20N10S4L22AATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | Type N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 20A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 100V | |
| Series | OptiMOSTM-T2 | |
| Package Type | TDSON | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 22mΩ | |
| Channel Mode | Dual N | |
| Forward Voltage Vf | 1V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 60W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | ±16 V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 21nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Transistor Configuration | Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | |
| Standards/Approvals | RoHS Compliant | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 20A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 100V | ||
Series OptiMOSTM-T2 | ||
Package Type TDSON | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 22mΩ | ||
Channel Mode Dual N | ||
Forward Voltage Vf 1V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 60W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs ±16 V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 21nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Transistor Configuration Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode | ||
Standards/Approvals RoHS Compliant | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-T2 power-transistor is Dual N-channel normal level enhancement mode. It has 175°C operating temperature.
AEC Q101 qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
Liens connexes
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Type N-Channel MOSFET 100 V Dual N, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 Dual N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOSTM-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V N, 8-Pin SuperSO8
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode IPG20N06S4L-11 Type N-Channel MOSFET 60 V TDSON
- Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin
- Infineon Dual CoolMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon Dual CoolMOS 2 Type N-Channel Power Transistor 100 V Enhancement, 8-Pin TDSON IPG20N10S4L22ATMA1
