Infineon Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode OptiMOS-T2 2 Type N-Channel MOSFET, 20 A, 60 V Enhancement, 8-Pin

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N° de stock RS:
214-9061
Référence fabricant:
IPG20N06S4L11AATMA1
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

20A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TDSON

Series

OptiMOS-T2

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

11.2mΩ

Channel Mode

Enhancement

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

41nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

±16 V

Maximum Power Dissipation Pd

65W

Maximum Operating Temperature

175°C

Transistor Configuration

Dual N Channel Logic Level Enhancement Mode

Width

5.9 mm

Standards/Approvals

RoHS, MSL1, AEC Q101

Height

1mm

Length

5.15mm

Number of Elements per Chip

2

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon range of new OptiMOS -T2 has a range of energy efficient MOSFET transistors with CO2 reduction and electric drives. The new OptiMOS -T2 product family extends the existing families of OptiMOS -T and OptiMOS. The Dual N-channel Logic Level - Enhancement mode, are feasible for automatic optical inspection (AOI). OptiMOS products are available in high performance packages to tackle the most challenging applications giving full flexibility in limited spaces. These Infineon products are designed to meet and exceed the energy efficiency and power density requirements.

The product is AEC Q101 qualified

100% Avalanche tested

It has 175°C operating temperature

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