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Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V N, 7-Pin TO-263 IPB032N10N5ATMA1

N° de stock RS:: 258-3791
Référence fabricant:: IPB032N10N5ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V N, 7-Pin TO-263 IPB032N10N5ATMA1

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1 - 9	3,66 €
10 - 24	3,48 €
25 - 49	3,39 €
50 - 99	3,18 €
100 +	2,93 €

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N° de stock RS:: 258-3791
Référence fabricant:: IPB032N10N5ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	Type N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	166A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	100V
	Series	iPB
	Package Type	TO-263
	Mount Type	Surface
	Pin Count	7
	Maximum Drain Source Resistance Rds	3.2mΩ
	Channel Mode	N
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd	187W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	76nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20 V
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

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	Marque Infineon
	Channel Type Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 166A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 100V
	Series iPB
	Package Type TO-263
	Mount Type Surface
	Pin Count 7
	Maximum Drain Source Resistance Rds 3.2mΩ
	Channel Mode N
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Power Dissipation Pd 187W
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 76nC
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - IPB032N10N5ATMA1

The Infineon OptiMOS 5 100V power MOSFET is especially designed for synchronous rectification in telecom blocks including Or-ing, hot swap and battery protection as well as for server power supply applications. The device has a lower RDS(on) of 22% compared to similar devices , one of the biggest contributors to this industry leading FOM is the low on-state resistance providing the highest level of power density and efficiency.

Reduced switching and conduction losses

Less paralleling required

Increased power density

Low voltage overshoot

Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 166 A, 100 V N, 7-Pin TO-263 IPB032N10N5ATMA1

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