Infineon iPB Type N-Channel MOSFET, 166 A, 80 V N, 3-Pin TO-263 IPB024N08N5ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-3789
- Référence fabricant:
- IPB024N08N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 258-3789
- Référence fabricant:
- IPB024N08N5ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 166A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | iPB | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2.4mΩ | |
| Channel Mode | N | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 214W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 99nC | |
| Forward Voltage Vf | 0.92V | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 166A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series iPB | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2.4mΩ | ||
Channel Mode N | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 214W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 99nC | ||
Forward Voltage Vf 0.92V | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon OptiMOS 5 80V industrial power MOSFET offers a RDS(on) reduction of 43% compared to previous generations and is ideally suited for high switching frequencies. The devices of this family are especially designed for synchronous rectification in telecom and server power supplies. In addition, they can also be utilized in other industrial applications such as solar, low voltage drives and adapters.
Optimized for synchronous rectification
Ideal for high switching frequency
Less paralleling required
Increased power density
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