Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC100N08S5N031ATMA1
- N° de stock RS:
- 258-0912
- Référence fabricant:
- IAUC100N08S5N031ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
5,35 €
(TVA exclue)
6,474 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 19 mars 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,675 € | 5,35 € |
| 20 - 48 | 2,405 € | 4,81 € |
| 50 - 98 | 2,245 € | 4,49 € |
| 100 - 198 | 2,09 € | 4,18 € |
| 200 + | 1,955 € | 3,91 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 258-0912
- Référence fabricant:
- IAUC100N08S5N031ATMA1
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 100A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 80V | |
| Package Type | TDSON | |
| Series | IAUC | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 8 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.6mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 0.9V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 167W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 59nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS, DIN IEC 68-1 | |
| Automotive Standard | AEC-Q101 | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 100A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 80V | ||
Package Type TDSON | ||
Series IAUC | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 8 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 0.9V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 167W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS, DIN IEC 68-1 | ||
Automotive Standard AEC-Q101 | ||
The Infineon OptiMOS-5 power-transistor is N-channel enhancement mode. It has 175°C operating temperature.
AEC qualified
MSL1 up to 260°C peak reflow
Liens connexes
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6L009ATMA1
- Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET 40 V Enhancement, 8-Pin TDSON IAUC120N04S6N010ATMA1