Infineon IAUC Type N-Channel MOSFET, 120 A, 60 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

3 785,00 €

(TVA exclue)

4 580,00 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • Expédition à partir du 12 mai 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
la bobine*
5000 +0,757 €3 785,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:
258-0921
Référence fabricant:
IAUC120N06S5N017ATMA1
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

120A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TDSON

Series

IAUC

Mount Type

Surface

Pin Count

8

Maximum Drain Source Resistance Rds

1.7mΩ

Channel Mode

Enhancement

Minimum Operating Temperature

-55°C

Forward Voltage Vf

0.8V

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

74nC

Maximum Power Dissipation Pd

167W

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

AEC-Q101

The Infineon OptiMOS-5 power transistor is OptiMOS power MOSFET for automotive applications. Its 175 °C operating temperature.

Green product (RoHS compliant)

100% Avalanche tested

Liens connexes