Références fabricant

Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON

N° de stock RS:: 258-0911
Référence fabricant:: IAUC100N08S5N031ATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon IAUC N-Channel MOSFET, 100 A, 80 V Enhancement, 8-Pin TDSON

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

4 225,00 €

(TVA exclue)

5 110,00 €

(TVA incluse)

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Unité	Prix par unité	la bobine*
5000 +	0,845 €	4 225,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 258-0911
Référence fabricant:: IAUC100N08S5N031ATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

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Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Channel Type	N
	Product Type	MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id	100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	80V
	Package Type	TDSON
	Series	IAUC
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	4.6mΩ
	Channel Mode	Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd	167W
	Forward Voltage Vf	0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	59nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Operating Temperature	175°C
	Standards/Approvals	RoHS, DIN IEC 68-1
	Automotive Standard	AEC-Q101

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Channel Type N
	Product Type MOSFET
	Maximum Continuous Drain Current Id 100A
	Maximum Drain Source Voltage Vds 80V
	Package Type TDSON
	Series IAUC
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 4.6mΩ
	Channel Mode Enhancement
	Maximum Power Dissipation Pd 167W
	Forward Voltage Vf 0.9V
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 59nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Operating Temperature 175°C
	Standards/Approvals RoHS, DIN IEC 68-1
	Automotive Standard AEC-Q101

Datasheet - IAUC100N08S5N031ATMA1

The Infineon OptiMOS-5 power-transistor is N-channel enhancement mode. It has 175°C operating temperature.

AEC qualified

MSL1 up to 260°C peak reflow

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