Références fabricant

Infineon BSZ Type P-Channel MOSFET, -40 A, -30 V P, 8-Pin TDSON BSZ120P03NS3GATMA1

N° de stock RS:: 258-0718
Référence fabricant:: BSZ120P03NS3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Infineon BSZ Type P-Channel MOSFET, -40 A, -30 V P, 8-Pin TDSON BSZ120P03NS3GATMA1

Sous-total (1 bobine de 5000 unités)*

1 105,00 €

(TVA exclue)

1 335,00 €

(TVA incluse)

Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €

En stock

Plus 5 000 unité(s) expédiée(s) à partir du 03 novembre 2026

Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails

Unité	Prix par unité	la bobine*
5000 +	0,221 €	1 105,00 €

*Prix donné à titre indicatif

N° de stock RS:: 258-0718
Référence fabricant:: BSZ120P03NS3GATMA1
Fabricant:: Infineon

Spécifications

Documentation technique

Législations et de normes

Détails du produit

Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.

Sélectionner tout	Attribut	Valeur
	Marque	Infineon
	Product Type	MOSFET
	Channel Type	Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id	-40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds	-30V
	Package Type	TDSON
	Series	BSZ
	Mount Type	Surface
	Pin Count	8
	Maximum Drain Source Resistance Rds	12mΩ
	Channel Mode	P
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs	30nC
	Minimum Operating Temperature	-55°C
	Maximum Power Dissipation Pd	52W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs	25V
	Forward Voltage Vf	-1.1V
	Maximum Operating Temperature	150°C
	Standards/Approvals	IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard	No

	Sélectionner tout
	Marque Infineon
	Product Type MOSFET
	Channel Type Type P
	Maximum Continuous Drain Current Id -40A
	Maximum Drain Source Voltage Vds -30V
	Package Type TDSON
	Series BSZ
	Mount Type Surface
	Pin Count 8
	Maximum Drain Source Resistance Rds 12mΩ
	Channel Mode P
	Typical Gate Charge Qg @ Vgs 30nC
	Minimum Operating Temperature -55°C
	Maximum Power Dissipation Pd 52W
	Maximum Gate Source Voltage Vgs 25V
	Forward Voltage Vf -1.1V
	Maximum Operating Temperature 150°C
	Standards/Approvals IEC 61249-2-21, RoHS
	Automotive Standard No

Datasheet - BSZ120P03NS3GATMA1

Infineon BSZ Series MOSFET, 30V Drain-Source Voltage, 40A Continuous Drain Current - BSZ120P03NS3GATMA1

This p-channel MOSFET is a surface-mount transistor designed for high-current switching in Compact assemblies. It operates across a wide temperature range and conforms to specified material and environmental standards, making it suitable for electronic applications that demand controlled power handling and Compact packaging.

Features and Benefits:

• Low Rds(on)12mΩ reduces conduction losses and improves efficiency
• 52W power dissipation enables higher thermal throughput
• 30nC gate charge supports Faster switching performance
• ±25V gate tolerance allows flexible gate-drive designs
• Surface TDSON package facilitates dense board layout

Applications

• Suitable for high-current polarity switching circuits
• Ideal for power-rail protection and load switching
• Used with motor driver stages requiring P-channel devices
• Can be used for battery management and power distribution
• Suitable for Compact surface-mount power modules

What temperature range can it reliably operate within?

It functions from -55°C up to 150°C for wide thermal margin.

How does the pin count affect PCB routing?

Eight pins allow distinct drain, source and gate connectivity for secure thermal and electrical routing.

What standard governs its material specification?

It complies with IEC 61249-2-21 for printed circuit material requirements.

Is it suitable for automotive qualification?

It is not classified as an automotive-grade component.

Which environmental directive does it meet regarding hazardous substances?

It meets RoHS requirements limiting hazardous substance content.

Liens connexes

Soyez le/la premier·ère à être informé de nos nouveautés produits et de nos offres spéciales.

adresse e-mail

Les données personnelles que vous nous fournissez en vous inscrivant à cette liste de diffusion seront traitées conformément à notre politique de confidentialité.