Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V Enhancement TO-263 IRFS4620TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9436
- Référence fabricant:
- IRFS4620TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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- N° de stock RS:
- 257-9436
- Référence fabricant:
- IRFS4620TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 24A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 77.5mΩ | |
| Channel Mode | Enhancement | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 144W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 25nC | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 24A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 77.5mΩ | ||
Channel Mode Enhancement | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 144W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 25nC | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel HEXFET Power mosfet in a D2 Pak package.
Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability lead free
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