Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 24 A, 200 V TO-263

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257-9434
Référence fabricant:
IRFS4620TRLPBF
Fabricant:
Infineon
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Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

24A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Maximum Drain Source Resistance Rds

77.5mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Forward Voltage Vf

1.3V

Maximum Power Dissipation Pd

144W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

25nC

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRFS series is the 200V single n channel HEXFET Power mosfet in a D2 Pak package.

Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness

Fully characterized capacitance and avalanche SOA

Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability lead free

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