Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V TO-263 IRFS38N20DTRLP

Voir l’ensemble des MOSFETs
Offre groupée disponible

Sous-total (1 paquet de 2 unités)*

5,69 €

(TVA exclue)

6,884 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
Temporairement en rupture de stock
  • 652 unité(s) expédiée(s) à partir du 29 décembre 2025
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
2 - 182,845 €5,69 €
20 - 482,56 €5,12 €
50 - 982,395 €4,79 €
100 - 1982,22 €4,44 €
200 +2,075 €4,15 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
257-9428
Référence fabricant:
IRFS38N20DTRLP
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Product Type

MOSFET

Channel Type

Type N

Maximum Continuous Drain Current Id

43A

Maximum Drain Source Voltage Vds

200V

Series

HEXFET

Package Type

TO-263

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

54mΩ

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Gate Source Voltage Vgs

30 V

Maximum Power Dissipation Pd

320W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

60nC

Forward Voltage Vf

1.5V

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRFS series is the 200V single n channel IR mosfet in a D2 Pak package.

Planar cell structure for wide SOA

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Industry standard surface mount power package

High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)

Capable of being wave soldered


Liens connexes