Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 43 A, 200 V TO-263 IRFS38N20DTRLP
- N° de stock RS:
- 257-9428
- Référence fabricant:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 paquet de 2 unités)*
6,18 €
(TVA exclue)
7,48 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
En stock
- Plus 624 unité(s) expédiée(s) à partir du 12 octobre 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 3,09 € | 6,18 € |
| 20 - 48 | 2,78 € | 5,56 € |
| 50 - 98 | 2,60 € | 5,20 € |
| 100 - 198 | 2,405 € | 4,81 € |
| 200 + | 2,255 € | 4,51 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9428
- Référence fabricant:
- IRFS38N20DTRLP
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 43A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 200V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 54mΩ | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 30V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 60nC | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 320W | |
| Forward Voltage Vf | 1.5V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 43A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 200V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 54mΩ | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 30V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 60nC | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Power Dissipation Pd 320W | ||
Forward Voltage Vf 1.5V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 200V single n channel IR mosfet in a D2 Pak package.
Planar cell structure for wide SOA
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Industry standard surface mount power package
High current carrying capability package (up to 195 A, die size dependent)
Capable of being wave soldered
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 150 V, 3-Pin TO-263 IRF3415STRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-263 IRFS4227TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V TO-263 IRFS4620TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V Enhancement, 3-Pin TO-263 IRFS3806TRLPBF