Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 200 A, 40 V, 3-Pin TO-263
- N° de stock RS:
- 214-4467
- Référence fabricant:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 bobine de 800 unités)*
592,80 €
(TVA exclue)
717,60 €
(TVA incluse)
Ajouter 800 unités pour bénéficier d'une livraison gratuite
En stock
- Plus 5 600 unité(s) expédiée(s) à partir du 18 février 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,741 € | 592,80 € |
| 1600 + | 0,723 € | 578,40 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 214-4467
- Référence fabricant:
- IRL1404ZSTRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 200A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 40V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Pin Count | 3 | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.9mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 110nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 16 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 200A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 40V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Pin Count 3 | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.9mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 110nC | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 16 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
This Infineon utilizes the latest processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Additional features of this design are a 175°C junction operating temperature, fast switching speed and improved repetitive avalanche rating.
It is lead-free
Liens connexes
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V, 3-Pin TO-263 IRL1404ZSTRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263 IRFS4227TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263 IRFS4620TRLPBF
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 200 V TO-263 IRFS38N20DTRLP
- Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET 40 V TO-263