Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 160 A, 60 V TO-263 IRFS3306TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9424
- Référence fabricant:
- IRFS3306TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Sous-total (1 paquet de 2 unités)*
5,91 €
(TVA exclue)
7,152 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 75,00 €
En stock
- 742 unité(s) prête(s) à être expédiée(s) d'un autre centre de distribution
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | le paquet* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 2,955 € | 5,91 € |
| 20 - 48 | 2,69 € | 5,38 € |
| 50 - 98 | 2,51 € | 5,02 € |
| 100 - 198 | 2,36 € | 4,72 € |
| 200 + | 2,16 € | 4,32 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9424
- Référence fabricant:
- IRFS3306TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Channel Type | Type N | |
| Product Type | MOSFET | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 160A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Package Type | TO-263 | |
| Series | HEXFET | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 4.2mΩ | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Forward Voltage Vf | 1.3V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 85nC | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 230W | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20 V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | No | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Channel Type Type N | ||
Product Type MOSFET | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 160A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Package Type TO-263 | ||
Series HEXFET | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 4.2mΩ | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Forward Voltage Vf 1.3V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 85nC | ||
Maximum Power Dissipation Pd 230W | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20 V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals No | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
Fully characterized capacitance and avalanche SOA
Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability lead free
RoHS compliant, halogen free
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D2-Pak IRFS3306TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D2-Pak IRFS3206TRRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D2-Pak IRFS7540TRLPBF
- Infineon HEXFET P-Channel MOSFET, 70 A D2-Pak AUIRF4905STRL
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 200 V D2-Pak IRFS38N20DTRLP
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D-PAK IRFR7540TRPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D²Pak IRFS7530TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V D²Pak IRFS4321TRLPBF
