Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 195 A, 60 V TO-263 IRFS7530TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9437
- Référence fabricant:
- IRFS7530TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
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Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 + | 1,452 € | 1 161,60 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9437
- Référence fabricant:
- IRFS7530TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
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Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 195A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Through Hole | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 2mΩ | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 375W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 274nC | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 195A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Through Hole | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 2mΩ | ||
Maximum Power Dissipation Pd 375W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 274nC | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a D2 Pak package.
Optimized for broadest availability from distribution partners
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
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