Infineon HEXFET Type N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V TO-263 IRFS7540TRLPBF

Voir l’ensemble des MOSFETs

Sous-total (1 paquet de 5 unités)*

9,26 €

(TVA exclue)

11,205 €

(TVA incluse)

Add to Basket
sélectionner ou taper la quantité
En stock
  • Plus 755 unité(s) expédiée(s) à partir du 19 janvier 2026
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité
Prix par unité
le paquet*
5 +1,852 €9,26 €

*Prix donné à titre indicatif

Options de conditionnement :
N° de stock RS:
257-9440
Référence fabricant:
IRFS7540TRLPBF
Fabricant:
Infineon
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout

Marque

Infineon

Channel Type

Type N

Product Type

MOSFET

Maximum Continuous Drain Current Id

110A

Maximum Drain Source Voltage Vds

60V

Package Type

TO-263

Series

HEXFET

Mount Type

Surface

Maximum Drain Source Resistance Rds

5.1mΩ

Maximum Gate Source Voltage Vgs

20 V

Maximum Power Dissipation Pd

160W

Typical Gate Charge Qg @ Vgs

88nC

Forward Voltage Vf

1.2V

Minimum Operating Temperature

-55°C

Maximum Operating Temperature

175°C

Standards/Approvals

RoHS

Automotive Standard

No

The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a Lead Free D2 Pak package.

Product qualification according to JEDEC standard

Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)

Silicon optimized for applications switching below 100 kHz

Softer body diode compared to previous silicon generation

Industry standard surface mount power package

Capable of being wave soldered

Liens connexes