Infineon HEXFET N-Channel MOSFET, 110 A, 60 V TO-263 IRFS7540TRLPBF
- N° de stock RS:
- 257-9439
- Référence fabricant:
- IRFS7540TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Offre groupée disponible
Consulter les options de prix de grosSous-total (1 bobine de 800 unités)*
778,40 €
(TVA exclue)
941,60 €
(TVA incluse)
Frais de livraison offerts pour toute commande de plus de 90,00 €
Temporairement en rupture de stock
- Expédition à partir du 11 janvier 2027
Besoin de plus? Cliquez sur " Vérifier les dates de livraison " pour plus de détails
Unité | Prix par unité | la bobine* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | 0,973 € | 778,40 € |
| 1600 + | 0,925 € | 740,00 € |
*Prix donné à titre indicatif
- N° de stock RS:
- 257-9439
- Référence fabricant:
- IRFS7540TRLPBF
- Fabricant:
- Infineon
Spécifications
Documentation technique
Législations et de normes
Détails du produit
Recherchez des produits similaires en sélectionnant un ou plusieurs attributs.
Sélectionner tout | Attribut | Valeur |
|---|---|---|
| Marque | Infineon | |
| Product Type | MOSFET | |
| Channel Type | N | |
| Maximum Continuous Drain Current Id | 110A | |
| Maximum Drain Source Voltage Vds | 60V | |
| Series | HEXFET | |
| Package Type | TO-263 | |
| Mount Type | Surface | |
| Maximum Drain Source Resistance Rds | 5.1mΩ | |
| Forward Voltage Vf | 1.2V | |
| Maximum Power Dissipation Pd | 160W | |
| Minimum Operating Temperature | -55°C | |
| Typical Gate Charge Qg @ Vgs | 88nC | |
| Maximum Gate Source Voltage Vgs | 20V | |
| Maximum Operating Temperature | 175°C | |
| Standards/Approvals | RoHS | |
| Automotive Standard | No | |
| Sélectionner tout | ||
|---|---|---|
Marque Infineon | ||
Product Type MOSFET | ||
Channel Type N | ||
Maximum Continuous Drain Current Id 110A | ||
Maximum Drain Source Voltage Vds 60V | ||
Series HEXFET | ||
Package Type TO-263 | ||
Mount Type Surface | ||
Maximum Drain Source Resistance Rds 5.1mΩ | ||
Forward Voltage Vf 1.2V | ||
Maximum Power Dissipation Pd 160W | ||
Minimum Operating Temperature -55°C | ||
Typical Gate Charge Qg @ Vgs 88nC | ||
Maximum Gate Source Voltage Vgs 20V | ||
Maximum Operating Temperature 175°C | ||
Standards/Approvals RoHS | ||
Automotive Standard No | ||
The Infineon IRFS series is the 60V single n channel HEXFET power mosfet in a Lead Free D2 Pak package.
Product qualification according to JEDEC standard
Optimized for 10 V gate drive voltage (called normal level)
Silicon optimized for applications switching below 100 kHz
Softer body diode compared to previous silicon generation
Industry standard surface mount power package
Capable of being wave soldered
Liens connexes
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS7540TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS3306TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS3006TRLPBF
- Infineon HEXFET N-Channel MOSFET 60 V TO-263 IRFS3206TRRPBF